功能描述：
DIO5110是一款单相12VMOSFET栅极驱动器，专为同步降压IC芯片中驱动高侧和低侧功率MOSFET的栅极而优化。DIO5110 高侧/低侧驱动器能够驱动3000pF负载，传播延迟为25ns，转换时间为30ns。DIO5110 MOSFET 驱动器凭借宽工作电压范围，可针对高低侧MOSFET栅极驱动电压进行优化以实现最佳效率。内部自适应非重叠电路通过防止两个MOSFET同时导通，进一步降低开关损耗。浮动顶部驱动器设计可承受高达35V的VBST电压，瞬态电压可达40V。DIO5110通过向输出禁用(EN)引脚施加低电平逻辑信号，可将两个栅极输出置为低电平。欠压锁定功能确保供电电压过低时两个驱动器输出均处于低电平，而热关断功能为IC提供过温保护。
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DIO5110产品特性：
宽电压范围：5.5V至13.2V
一体化同步降压驱动器
自举式高侧驱动
最大4.0A峰值源电流能力
最大3.5A峰值漏电流能力
单PWM信号驱动双通道
防交叉导通保护电路
欠压锁定功能
过温关断功能
本产品为无铅器件
DIO5110产品应用：
DIO5110应用于多相台式CPU电源
DIO5110应用于单电源同步降压IC芯片
DIO5110封装：SOIC-8 DFN3*3-8 DFN2*2.2-8
