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700V11ASIC碳化硅高耐压、更简拓扑、更广场景

发表时间:2026-04-08 16:19:28    阅读:
700V11ASIC碳化硅应用领域的持续拓展。除了光储充、车载OBC、主电驱等传统领域,碳化硅正渗透进更多新兴场景。在汽车领域,包括稳定主电驱电压的DC-Link Converter(转换器)、母线预充的有源DC/DC、满足功能安全需求的板载辅助电源,以及实现微秒级保护的固态断路器,都在积极采用碳化硅方案;在工业领域,高压电子负载、固态变压器、固态继电器等应用,也因碳化硅的高耐压和高频特性而受益。
 
电压提升成为明确趋势,碳化硅器件耐压需求水涨船高
碳化硅技术推广已有二十余年,如今已不再是基础概念普及阶段,而是进入以应用为导向的深度优化期。在SiC应用中电压等级正持续提升。
 
在光伏领域,决定系统竞争力的核心指标是LCoE(平准化度电成本),这是衡量电力项目全生命周期内单位发电经济性的核心指标,广泛应用于能源项目评估和政策制定。
 
这一变化直接对功率器件的耐压能力提出了更高要求。导致过去普遍适用的1200伏碳化硅器件,已难以满足新系统的安全裕量需求,客户开始向供应商提出1400伏、1500伏乃至更高耐压的产品需求。
 
而在充电桩领域,市场竞争已进入白热化阶段。哪怕是为追求0.2%至0.3%的效率提升,工程师不断加快开关速度,dv/dt愈发激进。更快的开关速度叠加线路感抗,势必产生更高的尖峰电压,迫使器件耐压同步提升。
 
700V11ASIC碳化硅器件在同平台应用中的电压提升需求显著提升,与之相关的功率器件动态可靠性也逐渐被重视,这既是挑战,也是技术迭代的重要方向。”

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