DIO3157E是一款增强型单刀双掷 (SPDT) CMOS 模拟开关。DIO3157E在公共端口上具有开/关电源保护，有效防止外部信号干扰对器件的影响。DIO3157E还提供了出色的 3 dB 带宽和更低的导通电阻，可在多种应用中用作模拟开关。DIO3157E 在宽电源电压范围 1.65 V 到 5.5 V 下工作，即使 S 引脚电压低于 VCC 电源，也能耗非常低的静态电流。这个新特性非常适合移动手机应用，使其能够直接与基带处理器的通用 I/O 接口，无需电平转换器。
DIO3157E模拟开关特点
低电容：典型值 30 pF
低电阻：最大 6 Ω（在 4.5 V 时）
低功耗：在扩展电压范围内 ICC 最大为 1 μA
宽 3dB 带宽：230 MHz
宽电源电压范围：1.65 ~ 5.5 V
封装形式：6 引脚 SC70 和 SOT23
±8kV HBM ESD 等级，±2kV CDM ESD 等级
DIO3157E模拟开关产品应用
手机
个人数字助理（PDA）
便携式仪器
电池供电的通信设备
电脑外设
