DIO7970S是一款节省空间的负载开关,具备受控导通功能以抑制浪涌电流。DIO7970S内置n沟道MOSFET,可在0.75V至5.5V输入电压范围内工作,脉冲开关电流最高可达4A。为实现最低开关导通电阻(RON),集成电荷泵对NMOS开关施加偏置电压。开关通过开/关输入(EN)控制,可直接对接低压控制信号。当结温超过阈值时,DIO7970S将通过热关断机制关闭,待结温稳定至安全范围后自动重新开启。VOUT与GND间连接150Ω片上下拉电阻,防止开关禁用时输出漂移。为降低涌入电流,DIO7970S内置受控上升时间控制。DIO7970S采用WLCSP-8(0.5毫米间距)封装,额定工作温度范围为-40°C至105°C。


DIO7970S产品特性:
输入电压范围:0.75 V至5.5 V
最大连续开关电流(IMAX):4 A
静态电流:26 µA(典型值),当VIN > 1.2 V时
关断电流:1 µA(典型值),当VIN > 1.8 V时
受控压摆率避免浪涌电流
– 导通时间:3.6 V时为2600 μs
– 导通时间:0.75 V时为1500 μs
导通电阻
– RON = 4.9 mΩ(典型值)当VIN ≥ 1.8 V时
– RON = 7.7 mΩ(典型值)当 VIN = 0.75 V 时
低阈值使能(EN)支持低至 0.9 V 的逻辑电平(VIH)
热关断
输出下拉电阻(RPD):150 Ω(典型值)当 VIN = 3.6 V 时
封装:WLCSP-8
DIO7970S产品应用:
DIO7970S应用于笔记本电脑
DIO7970S应用于台式电脑
DIO7970S应用于工业电脑
DIO7970S应用于智能手机
DIO7970S应用于存储设备


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