DIO6145B集成功率MOSFET输入5.5 V同步6A降压DC-DC芯片，输出电压可调节最低至0.6 V。DIO6145B还具备多种保护机制，包括限流和热关断功能。优化的恒导通时间（COT）架构兼顾快速瞬态响应与环路稳定性。DIO6145B采用小型倒装芯片封装的QFN2*3-12和QFN2*1.5-12封装，DIO6145B仅需极少外部元件即可实现6A输出能力，并具备卓越的散热性能。
DIO6145B产品特性：
工作输入电压范围：2.8 V 至 5.5 V
静态电流：40 µA
最大输出电流：6 A
固定开关频率：1.2 MHz
可调输出电压：0.6 V起始
内部SS时间：700 μs（带预偏置启动）
内部功率MOSFET：20 mΩ与12 mΩ
输出放电电阻：600 Ω
压降状态下100%占空比
1%反馈精度
外部模式控制
外部VCON控制
周期性过流保护
带间歇模式的短路保护
适用于低ESR输出陶瓷电容
热关断保护
封装：QFN2×3-12，QFN2×1.5-12
DIO6145B产品应用：
DIO6145B应用于移动设备或电池供电设备
DIO6145B应用于存储设备（固态硬盘、机械硬盘）
深圳市凯特瑞科技有限公司提供DIO6145B样品，技术支持，原装现货，交期稳定，欢迎咨询
